STMicroelectronics MOSFET de puissance M9 MDmesh™

Les MOSFET de puissance MDmesh™ M9 STMicroelectronics intègrent une structure de dispositif améliorée, une faible résistance à l'état passant et de faibles valeurs de charge de grille.  Ces MOSFET de puissance offrent une robustesse dv/dt élevée de diode inverse et de MOSFET, une haute densité de puissance et de faibles pertes par conduction. Les MOSFET de puissance MDmesh M9 offrent également une vitesse de commutation élevée, un haut rendement et de faibles pertes de puissance de commutation. Ces MOSFET de puissance sont conçus avec une technologie innovante de super-jonction à haute tension qui fournit un facteur de mérite (FoM) impressionnant. Le FoM élevé permet des niveaux de puissance et une densité plus élevés pour des solutions plus compactes. Les applications typiques comprennent les serveurs, les centres de données télécoms, les stations d'alimentation 5G, les microonduleurs et les chargeurs rapides.