STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 STP80N240K6
Le MOSFET de puissance MDmesh K6 STP80N240K6 de STMicroelectronics est basé sur la technologie ultime MDmesh K6 s’appuyant sur 20 années d’expérience de STM en technologie super-jonction. Le MOSFET de puissance à canal N haute tension offre une charge de grille très basse et un excellent RDS(on) x zone. Le MOSFET de puissance 800 V STP80N240K6 de ST dispose de la meilleure résistance à l’état passant de sa catégorie par surface et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et une haute efficacité.
Caractéristiques
- Meilleur RDS(on) mondial x zone
- Meilleur FOM (figure de mérite) au monde
- Charge de grille ultra-faible
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Protégés par diode Zener
Applications
- Applications basées sur la topologie Flyback
- Éclairage à LED
- Chargeurs
- Adaptateurs
Schéma du circuit
MOSFET associés
STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 16 A STD80N240K6
Présente un excellent RDS(on) x zone et un faible Qg, ce qui permet d’atteindre des vitesses de commutation élevées et de faibles pertes.
STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N
800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.
COMPLÉTEZ VOTRE CONCEPTION
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2021-08-05
| Mis à jour le: 2024-06-25