STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
Le transistor E-Mode PowerGaN SGT080R70ILB de STMicroelectronics est un transistor en mode d’amélioration conçu pour des applications de conversion d’énergie à haut rendement. Doté d’une tension nominale drain-source de 700 V et d’une résistance à l’état passant standard de seulement 80 mΩ, le SGT080R70ILB de STMicroelectronics tire parti de la performance de commutation supérieure de la technologie au nitrure de gallium (GaN) pour minimiser les pertes par conduction et commutation. Logé dans un boîtier compact PowerFLAT 8x8 HV, le transistor prend en charge l’exploitation à haute fréquence et est idéal pour une utilisation dans des convertisseurs résonnants, des étages de correction du facteur de puissance (PFC) et des convertisseurs CC-CC. Une charge de grille et une capacité de sortie réduites permettent des transitions plus rapides et une dissipation d’énergie réduite, ce qui rend le SGT080R70ILB parfaitement adapté aux applications exigeantes dans l’électronique grand public, les systèmes industriels et les centres de données.
Caractéristiques
- Transistor à mode d’amélioration normalement désactivé
- Retard de commutation très élevé
- Capacité de gestion de l'alimentation élevée
- Capacités extrêmement faibles
- Plaquette source Kelvin pour un pilotage de grille optimal
- Charge de récupération inverse nulle
- Protection DES
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Électronique grand public
- Systèmes industriels
- Centres de données
- Adaptateurs pour tablettes, ordinateurs portables et AIO
- Chargeurs rapides et adaptateurs PD USB Type-C®
- Convertisseurs CA-CC
- Convertisseurs CC-CC
- Convertisseurs résonnants
- Étages de correction du facteur de puissance (PFC)
Caractéristiques techniques
- Tension maximale drain-source de 700 V
- Tension transitoire maximale drain-source de 800 V à tp <>
- Tension maximale grille-source de -6 V à 7 V
- Courant de drain continu maximum de 29 A à +25 °C
- Courant de drain d’impulsion maximum de 58 A à tp = 10 μs
- Dissipation d’énergie totale maximale de 188 W à +25 °C
- Tension de conduction inverse source-drain standard de 2,3 V
- Commutation
- Délai de passage à la fermeture typique de 3 ns
- Temps de montée typique de 4 ns
- Délai de passage à l’ouverture typique de 5 ns
- Temps de descente typique de 4 ns
- Statique
- Courant de fuite drain-source maximum de 390 μA
- Courant de fuite grille-source standard de 163 μA
- Plage de tension de seuil de grille de 1,2 V à 2,5 V
- Résistance statique drain-source maximale de 80 mΩ
- Protection DES par modèle de corps humain (HBM) de 2 kV
- Plage de température de jonction de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
- Dynamique
- Capacité d’entrée standard de 225 pF
- Capacité de sortie standard de 70 pF
- Capacité de transfert inverse standard de 0,5 pF
- Capacité de sortie équivalente standard de 105 pF, liée à l’énergie
- Capacité de sortie équivalente standard de 150 pF, liée au temps
- Résistance de grille intrinsèque standard de 3 Ω
- Tension de plateau de grille standard de 2,2 V
- Charge de grille totale standard de 6,2 nC
- Charge grille-source standard de 0,5 nC
- Charge grille-drain standard de 2,2 nC
- Charge de récupération inverse standard de 0 nC
- Charge de sortie standard de 60 nC
- Résistance thermique
- Jonction à boîtier de 0,52 °C/W
- Jonction à la température ambiante de 33,6 °C/W
Schéma
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STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2025-10-20
| Mis à jour le: 2025-12-04