SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Résultats: 8
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
695En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
365En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
1 00008/06/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
Délai de livraison 62 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W