Transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN

Les transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN de STMicroelectronics sont des dispositifs au nitrure de gallium (GaN) hauteperformance, à enrichissement (normalement désactivés) conçus pour fournir une commutation exceptionnellement rapide, de faibles pertes par conduction et une densité de puissance élevée pour les applications de conversion de puissance exigeantes. Ces transistors tirent parti des avantages de la large bande interdite du nitrure de gallium pour atteindre des capacités extrêmement faibles, une charge de grille minimale et une charge de recouvrement inverse nulle, offrant ainsi une efficacité supérieure par rapport aux commutateurs de puissance en silicium traditionnels.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Technologie
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
374En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
712En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
768En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
728En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
790En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
792En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 100
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
552En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
2 50020/11/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si