Vishay / Siliconix MOSFET à super-jonction en PowerPAK® 10 x 12
Les MOSFET à super-jonction en boîtiers PowerPAK® 10 x 12 de Vishay / Siliconix disposent d'une technologie de puissance. Ces MOSFET de puissance optimisent l'efficacité énergétique, tandis que la RDS(on) minimise les pertes de puissance lors de la conduction, garantissant ainsi une exploitation efficace. Ces composants sont testés à 100 % Rg et UIS. Les MOSFET de super-jonction de Vishay / Siliconix améliorent la dissipation d'énergie et réduisent la résistance thermique (RthJC). Les applications typiques incluent le redressement synchrone, l'automatisation et les alimentations électriques.
Caractéristiques
- Grande capacité thermique
- Technologie de dernière génération série E
- Faible facteur de mérite (FOM) Ron x Qg
- Faible capacité effective (Co(er))
- Améliorez l'efficacité du système
Applications
- Alimentations électriques
- Centres de données
- Télécommunications
- Ordinateurs de jeu
- Convertisseurs solaires / PV
- Automatisation
Caractéristiques techniques
- Conception à profil mince : 9,9 mm x 11,7 mm x 2,3 mm
- Boîtier sans fils TO
- Connexion intégrée de la source Kelvin
Infographie
Ressources supplémentaires
MOSFET présentés
Vishay / Siliconix MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET
Procure une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V.
Vishay / Siliconix MOSFET de puissance TrenchFET Gen V avec VDS
Augmente le rendement de conversion de puissance avec un facteur de mérite (FOM) RDS x Qg très faible.
Vishay / Siliconix MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E
Dispose d’une technologie d’alimentation TrenchFET® Gén V idéale pour le redressement synchrone et l’automatisation.
Publié le: 2025-05-09
| Mis à jour le: 2025-05-22