NXP Semiconductors Pilotes de grille IGBT/SiC avancés GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

Caractéristiques

Capacité boost intégrée pour une résistance de pilotage accrue jusqu’à 10A/20A/30A de courant source/dissipateur
Tension de sortie V_CC maximale 25 V
Délai CAN programmable — délai d’échantillonnage jusqu’à 8 μs depuis le front montant ou descendant de la PWM
détection de température HT (TSENSE) intégrée pour thermistance ou capteurs de diode NTC avec décalage et gain programmables
Temps de détection et de réaction de_VCE DeSat rapide : <1 µs (SiC)
plage de temps mort PWM améliorée pour des pertes de commutation réduites (SiC)

Arrêt 2-level Programmable (2LTO) et arrêt progressif (SSD)
Fournit un pilote de grille contrôlé par MCU ou par logique de sécurité pour décharger activement le condensateur de liaison CC
Broche de défaut programmable supplémentaire (INTA)
Gestion intégrée des défaillances HT (FSISO)
Surveillance de sortie_VCE programmable
Immunité transitoire en mode commun (CMTI) minimale de > 100 V/ns
Isolation galvanique_rms 5 000 V selon UL1577 (prévue)