onsemi Module NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST
Le module NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST d'Onsemi offre trois canaux, une puissance de sortie plus élevée et un montage facile du module. Chaque canal contient deux IGBT de 1 000 V, 100 A, deux diodes SiC de 1 200 V, 30 A, et deux diodes de dérivation de 1 600 V, 30 A. Le module Q2BOOST fournit un excellent rendement et des pertes thermiques exceptionnelles, avec la flexibilité nécessaire pour prendre en charge différents processus de fabrication.
Le module NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST d'Onsemi permet une puissance de sortie plus élevée que les autres solutions IGBT de 1 200 V. Le Module Q2BOOST contient une thermistance NTC.
Caractéristiques
- Tranchée extrêmement efficace grâce à la technologie d'arrêt de champ
- La faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
- La conception du module garantit une densité de puissance élevée
- Configuration à faible induction
- 3 canaux en boîtier Q2BOOST
- Composant sans plomb
Applications
- Convertisseurs solaires
- Alimentations sans interruption
Module associé
onsemi Modules Q2Pack et Q2BOOST NPC à trois niveaux
Modules d'alimentation intégrés (PIM) contenant un seul étage NPC de type I avec une excellente efficacité.
Schémas de principe
Connexion des broches
En savoir plus sur EliteSiC
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2020-09-25
| Mis à jour le: 2024-06-24