onsemi IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée FGHL50T65MQDTx
Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée FGHL50T65MQDTx d'onsemi sont des IGBT de 4ème génération à vitesse moyenne, co-emballés avec une diode à courant nominal complet. Ces IGBTs fonctionnent à une température de jonction maximale de 175 °C. Les caractéristiques comprennent une capacité de courant élevée, une commutation douce et optimisée, et une distribution étroite des paramètres. Les applications typiques comprennent les onduleurs solaires, les ASI, les ESS, les convertisseurs et les FPS.
Caractéristiques
- Température de jonction TJ maximale de 175 °C
- Coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle facile
- Capacité d'intensité élevée
- Faible tension de saturation :
- VCE(sat) = 1,45 V (standard) à IC = 50 A
- 100 % des pièces sont testées pour ILM
- Commutation optimisée et fluide
- Distribution étroite des paramètres
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Onduleurs solaires
- ASI et ESS
- Convertisseurs et PFC
Plan mécanique en mm
Fiches techniques
Produits associés
onsemi IGBT à tranchée FGHL75T65LQDT
La technologie IGBT à faible VCE(sat) de 4e génération offre une capacité de courant élevée.
onsemi IGBT à tranchée FGHL75T65MQDTx
IGBT de 4ème génération à vitesse moyenne, disposant d'un condensé de technologies, avec diode à courant nominal complet.
onsemi IGBT à effet de champ en tranchée FGHL40T65MQDT
Technologie IGBT de moyenne vitesse de 4ème génération co-emballée avec une diode de courant nominal complète.
onsemi IGBTs à arrêt de champ FGH4L40Tx 1200V/40A
IGBTs basés sur la technologie d’arrêt de champ pour une commutation à haut rendement dans des applications électriques exigeantes.
Publié le: 2022-04-07
| Mis à jour le: 2022-07-22