onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V M3S
Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V M3S onsemi sont optimisés pour les applications à commutation rapide. Sa technologie planaire fonctionne de manière fiable avec un entraînement négatif de la tension de grille et des pics d'arrêt sur la grille. Les MOSFET 1 200 V onsemi M3S offrent des performances optimales avec une commande de grille 18 V mais fonctionnent aussi parfaitement avec une commande de grille 15 V. Logé dans un boîtier TO247-4LD à faible inductance de source commune, le MS3 assure de faibles pertes de commutation.
Caractéristiques
- Boîtier TO247-4LD pour faible inductance de source commune
- Commande de grille 15 V à 18 V
- Technologie M3S de 22 mOhm RDS(ON) avec de faibles pertes EON et EOFF
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Pertes EON réduites
- 18 V pour performances maximales et 15 V pour compatibilité avec les circuits pilotes IGBT
- Densité de puissance améliorée
- Robustesse améliorée aux pics de tension entrants inattendus ou à la sonnerie
Applications
- Conversion CA-CC
- Conversion CC-CA
- Conversion CC-CC
- ASI
- Chargeurs de véhicules électriques
- Onduleurs solaires
- Systèmes de stockage d'énergie
Produits associés
onsemi MOSFET au SiC série M3S 1 200 V NTBG022N120M3S
Optimisé pour des applications à commutation rapide et présente une faible résistance entre drain et source de 22 mΩ.
onsemi MOSFET SiC NTH4L au carbure de silicium
Une famille de MOSFET SiC planaires M3S de 1 200 V.
Evaluation Board
onsemi Carte d'évaluation EVBUM2878G-EVB
Conçu pour l’évaluation des modules 4-PACK M3S en pont complet 1 200 V dans le boîtier F2.
onsemi Carte d'évaluation EVBUM2880G-EVB
Conçu pour évaluer les modules doubles à demi-pont M3S 1 200 V dans le boîtier F1.
Schéma interne du circuit
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Vds - Tension de rupture drain-source | Rds On - Résistance drain-source | Id - Courant continu de fuite | Package/Boîte |
|---|---|---|---|---|---|
| NTH4L022N120M3S |  |
1.2 kV | 30 mOhms | 68 A | TO-247-4 |
| NVH4L022N120M3S | |
1.2 kV | 30 mOhms | 68 A | TO-247-4 |
Publié le: 2021-09-27
| Mis à jour le: 2025-01-20