onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L095N065SC1
Les MOSFET au carbure de silicium (SIC) NVH4L095N065SC1 onsemi disposent d’une technologie avancée pour de meilleures performances de commutation et une meilleure fiabilité. Le NVH4L095N065SC1 onsemi dispose d’une faible résistance à l’état passant et d’une taille de puce compacte, ce qui réduit la capacité et la charge de grille. Le dispositif offre également un rendement élevé, un fonctionnement rapide, une densité de puissance accrue, moins d’EMI et une taille de système plus petite.
Caractéristiques
- Rayonnement std. RDS(on) = 70 mΩ sous VGS = 18 V
- Rayonnement std. RDS(on) = 95 mΩ sous VGS = 15 V
- Charge ultra-basse de grille (QG(tot) = 50 nC)
- Faible capacité de sortie (Coss = 89 pF)
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Certification AEC-Q101 et conformité PHPP
- Ce composant est sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Chargeur embarqué automobile
- Convertisseur CC/CC automobile pour véhicules électriques et hybrides
MOSFET associés
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL075N065SC1
Dispositifs haute performance dotés de caractéristiques exceptionnelles.
En savoir plus sur EliteSiC
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2023-11-08
| Mis à jour le: 2024-06-18