onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL075N065SC1
Les MOSFET au carbure de silicium (SIC) NVHL075N065SC1 Onsemi sont des composants haute performance dotés de caractéristiques exceptionnelles. Le NVHL075N065SC1 onsemi présente une RDS(on) standard de 57 mΩ sous une tension grille-source (VGS) de 18 V et de 75 mΩ sous 15 V. Le dispositif présente une charge de grille ultra-faible (QG(tot) = 61 nC) et d’une faible capacité de sortie (Coss = 107 pF), assurant une commutation rapide et des pertes réduites de puissance.
Caractéristiques
- Rayonnement std. RDS(on) = 57 mΩ sous VGS = 18 V
- Rayonnement std. RDS(on) = 75 mΩ sous VGS = 15 V
- Charge de grille ultra-faible (QG(tot) = 61 nC)
- Faible capacité de sortie (Coss = 107 pF)
- 100 % testé en avalanche
- Certifié AEC-Q101 et compatible PHPP
- Ce composant est sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Chargeur embarqué automobile
- Convertisseur CC/CC automobile pour véhicules électriques et hybrides
MOSFET associés
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L095N065SC1
Disposent d’une technologie de pointe pour de meilleures performances de commutation et une meilleure fiabilité.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL015N065SC1
Offrent un rendement élevé, une fréquence de fonctionnement plus rapide et une densité de puissance accrue.
En savoir plus sur EliteSiC
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2023-11-08
| Mis à jour le: 2024-06-18