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onsemi Modules au carbure de silicium (SiC) NVXK2VR80WxT2

Les Modules au carbure de silicium (SiC) NVXK2VR80WxT2 onBLUETOOTH  sont des modules d'alimentation à pont triphasé 1 200 V, 80 m Ω logés dans un boîtier DIP (double ligne). Ces modules au SiC sont conçus de manière compacte pour avoir une faible résistance totale de module. Les modules d'alimentation NVXK2VR80WxT2 ont une homologation automobile   conformément aux normes AEC-Q101 et AQG324. Ces modules de puissance sont sans plomb et conformes à la directive RoHS, UL94V-0. La détection de température des modules SiC NVXK2VR80WxT2 et la résistance thermique la plus faible les rendent idéaux pour les chargeurs embarqués PFC dans les applications xEV.

Caractéristiques

  • Module de puissance à pont triphasé au carbure de silicium (SiC) DIP
  • Tension drain-source (VDSS) de 1 200 V
  • Courant de drain continu (ID) de 20 A - (NVXK2VR80WDT2)
  • Courant de drain continu (ID) de 31 A - (NVXK2VR80WXT2)
  • Résistance drain-source à l’état passant (RDS(ON)) de 80 mΩ (standard)
  • Plage de températures de jonction de fonctionnement (TJ) de -55 à 175 °C
  • Ligne de fuite et distance d'isolement conformes aux normes IEC60664-1 et CEI 60950-1
  • Conception compacte pour une faible résistance totale du module
  • Sérialisation du module pour une traçabilité complète
  • Sans plomb
  • Conforme aux directives RoHS et UL94V-0
  • Homologation automobile selon AEC-Q101 et AQG324

Applications

  • PFC pour chargeur embarqué dans les applications xEV
  • Chargeur embarqué de 11 kW à 22 kW pour EV-PHEV

Module de pont triphasé SiC MOSFET

onsemi Modules au carbure de silicium (SiC) NVXK2VR80WxT2

Modules associés

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Module d'alimentation à pont complet de 1 200 V, 80 mΩ et 31 A, logé dans un boîtier DIP (Dual Inline Package).

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onsemi Module au carbure de silicium (SiC) NVXK2TR40WXT

Module d'alimentation EliteSiC à double demi-pont 1 200 V, 40 mΩ et 27 A, logé dans un boîtier à double ligne (DIP).

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Module d'alimentation EliteSiC à double demi-pont 1 200 V, 80 mΩ et 20 A, logé dans un boîtier à double ligne (DIP).

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onsemi Module au carbure de silicium (SiC) NVXK2VR40WXT2

Module de puissance à pont triphasé 1 200 V, 40 mΩ et 55 A, logé dans un  boîtier DIP (Dual Inline Package).

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Numéro de pièce Fiche technique Id - Courant continu de fuite Pd - Dissipation d’énergie Rds On - Résistance drain-source Vds - Tension de rupture drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Nombre de canaux Temps de montée Temps de descente Longueur Largeur Hauteur Package/Boîte Conditionnement RoHS - Mouser
NVXK2VR80WDT2 NVXK2VR80WDT2 Fiche technique 20 A 82 W 116 mOhms 1.2 kV - 15 V, + 25 V 4.3 V 6 Channel 12 ns 9 ns 44.2 mm 29 mm 5.8 mm APM-32 Tube Y
NVXK2VR80WXT2 NVXK2VR80WXT2 Fiche technique 31 A 208 W 116 mOhms 1.2 kV - 15 V, + 25 V 4.3 V 6 Channel 12 ns 9 ns 44.2 mm 29 mm 5.8 mm APM-32 Tube Y
Publié le: 2024-08-06 | Mis à jour le: 2024-08-28