onsemi MOSFET Trench8
Les MOSFET Trench8 d'Onsemi se caractérisent par une faible résistance maximale à l'état passant (RDS(ON), une charge de grille (Qg) ultra-faible et une faible (Qg) x RDS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion d'énergie. Dotés de performances de commutation optimisées basées sur la technologie T6, les MOSFET Trench8 offrent une réduction de 35 % à 40 % des Qg et Qoss de la série Trench6. Les MOSFET Trench8 onsemi sont disponibles dans une large gamme de boîtier pour une flexibilité de conception. Des options certifiées AEC-Q101 et compatibles PPAP sont disponibles pour les applications automobiles. Bon nombre de ces dispositifs sont proposés en boîtiers à flanc mouillable permettant une inspection optique automatisée (AOI).
Caractéristiques
- Options certifiées AEC-Q101 et compatibles PHPP disponibles
- Conception optimisée pour minimiser les pertes de conduction et de commutation
- Boîtiers optimisés pour réduire au minimum l'inductance parasite
- Matériau optimisé pour une meilleure performance thermique
- Plage de tension de rupture drain-source (VDS) de 25 V à 80 V
- Plage de courant de drain continu (ID) de 11,6 A à 351 A
- Plage de résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) de 0,7 mΩ à 55 mΩ
- Tension grille-source (VGS) de ±20 V
- Plage de tension de seuil grille-source (VGS(TH)) de 1,1 V à 4,0 V
- Plage de charge de grille (Qg) de 4,7 nC à 166 nC
- Plage de dissipation d'énergie (Pd) de 860 mW à 311 W
- Options de boîtier :
- DFN-5, DFN-8, DFNW-8, H-PSOF-8, PQFN-8, SO-8, SO-8FL, SO-FL-8L, WDFN-6, WDFN-8, WQFN-12
- Options de flanc mouillable disponibles
- Plage de température de fonctionnement et de jonction
- Industrie : de -55 °C à +125 °C
- Automobile : de -55 °C à +150 °C
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Automobile (options certifiées AEC-Q101 uniquement)
- Chargeurs VE/VEH (options certifiées AEC-Q101 uniquement)
- Convertisseurs CC-CC à hautes performances
- Rails de tension du système
- Netcom et télécoms
- Serveurs
- Point de charge (POL)
- Commandes de moteurs
Vidéos
Produits présentés
onsemi NTMFS5H419NL 40V 150A N-Channel Power MOSFET
Single N-channel Power MOSFET offering low ON resistance, low gate charge, and low capacitance.
onsemi NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET
Low drain-to-source ON-Resistance and low capacitance to minimize driver losses.
onsemi MOSFET à canal N NTTFD4D0N04HL et NTTFD9D0N06HL
Les MOSFET de contrôle (Q2) et synchrones (Q1) sont conçus pour fournir un rendement énergétique optimal.
onsemi NVMFS6H8x Power MOSFETs
Offer 80V, single N-channel, and small footprint for a compact design.
onsemi MOSFET de puissance NVMFS6H824NLT1G et NVTFS6H888NLTAG
MOSFET de puissance automobiles homologués AEC-Q101 dans un boîtier DFN5 à faible empreinte pour des conceptions compactes.
onsemi NVMFD6H852NL 80V 25A Automotive Power MOSFET
AEC-Q101 qualified and PPAP capable dual N-Channel MOSFET, ideal for use in automotive applications.
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