ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RF4G100BG
Le MOSFET de puissance à canal N RF4G100BG de ROHM Semiconductor est un MOSFET 40 V et 10 A disposant d'une faible résistance à l'état passant de 14,2 mΩ, ce qui le rend idéal pour les applications de commutation. Le RF4G100BG dispose d'un temps de récupération inverse de 27 ns (standard) et d'une charge de récupération inverse de 18 nC (standard). La dissipation d'énergie pour le composant est de 2,0 W et dispose d'une large plage de température de jonction et de stockage de fonctionnement de -55 ℃ à +150 ºC.
Le MOSFET de puissance à canal N RF4G100BG de ROHM Semiconductor est disponible en boîtier DFN2020-8S (HUML2020L8) à petit moulage et haute puissance de 2,0 mm x 2,0 mm, idéal pour les applications à espace restreint.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant (RDS(on)) de 14,2 mΩ
- Tension drain-source (VDSS) de 40 V
- Courant de drain (ID) continu ±10 A
- Courant de drain pulsé (IDP) +40 A
- Tension grille-source (VGSS) +20 V
- Courant d'avalanche de 10 A, impulsion simple (IAS)
- Énergie d'avalanche de 8,4 mJ, impulsion simple (EAS)
- Dissipation d'énergie (PD) 2,0 W
- Temps de récupération inverse (trr) de 27 ns
- Charge de récupération inverse (Qrr) 18 nC
- Plage de température de jonction et de stockage : de -55 °C à +150 °C
- Boîtier DFN2020-8S (HUML2020L8) de 2,0 mm x 2,0 mm
- Placage sans plomb
- Sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Tension
Produits associés
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MOSFET 60 V, 7 A avec une faible résistance à l'état passant de 27 mΩ, ce qui le rend idéal pour les applications de commutation.
Désignations des broches et circuit interne
Profil du boîtier
Publié le: 2021-11-29
| Mis à jour le: 2022-03-11