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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS
EPC Efficient Power Conversion
Fiche technique
2 50029/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
EPC Efficient Power Conversion
Fiche technique
2 50029/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
EPC Efficient Power Conversion
Fiche technique
2 98029/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
EPC Efficient Power Conversion
Fiche technique
2 50013/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
EPC Efficient Power Conversion
Fiche technique
2 00029/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
EPC Efficient Power Conversion
Fiche technique
1 00029/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
EPC FET GaN EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Fiche technique
50028/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 500

EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
Fiche technique
2 50028/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

EPC FET GaN eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
Fiche technique
12 09909/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
Fiche technique
1 00028/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

EPC FET GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
Fiche technique
50028/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 500

EPC FET GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
Fiche technique
50028/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 500

EPC FET GaN EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Fiche technique
2 50023/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

EPC Pilotes laser IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
Fiche technique
2 00029/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

EPC Pilotes laser IC LASER DRVR 80V 15A
Fiche technique
2 50028/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

EPC Efficient Power Conversion
Fiche technique
1 00013/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
EPC FET GaN EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Fiche technique
2 50010/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

EPC FET GaN EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Fiche technique
50010/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 500

EPC FET GaN EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Fiche technique
6 00028/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

EPC Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation Half-Bridge Development Board, 80V/10A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 40
Mult. : 40

EPC Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation Half-Bridge Development Board, 350V/4A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 40
Mult. : 40

EPC Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation Half-Bridge Development Board, 80V/40A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 40
Mult. : 40

EPC Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation Half-Bridge Development Board, 100V/25A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 40
Mult. : 40

EPC Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation Half-Bridge Development Board, 200V/8A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 40
Mult. : 40

EPC Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation Half-Bridge Development Board, 40V/25A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 40
Mult. : 40