SiC MOSFET – Mouser France

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET CoolSiC™

Les MOSFET CoolSiC™ d'Infineon s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe, optimisé pour permettre à la fois les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité en fonctionnement. La gamme de CoolSiC discret en boîtiers TO et CMS est disponible en classes de tensions de 650 V, 1 200 V et 1 700 V, avec une résistance en marche nominale de 27 mΩ à 1 000 mΩ. La technologie de tranchée CoolSiC permet un ensemble de paramètres flexible, qui est utilisé pour la mise en œuvre de caractéristiques spécifiques aux applications dans les portefeuilles de produits respectifs. Ces caractéristiques comprennent des tensions grille-source, des spécifications d’avalanche, une capacité de court-circuit ou une diode de corps interne nominale pour commutation dure.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Résultats: 29

Filtres appliqués:

Style de montage

Package/Boîte

Vds - Tension de rupture drain-source

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

Qg - Charge de grille

Température de fonctionnement max.

Pd - Dissipation d’énergie

Tout réinitialiser

Rechercher parmi les résultats

En stock

Normalement en stock

Actif

Nouveaux produits

RoHS : conforme

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,96 € 303En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R060M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	303En stock	Bande coupée 8,96 € 4,99 € 4,70 € Bobine 4,45 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,02 € 825En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R090M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	825En stock	Bande coupée 6,02 € 4,15 € 3,74 € 3,56 € Bobine 3,50 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,73 € 2 459En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R220M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	2 459En stock	Bande coupée 5,73 € 3,04 € 2,73 € Bobine 2,42 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,93 € 617En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R045M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	617En stock	Bande coupée 11,93 € 7,27 € 6,75 € Bobine 6,38 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,42 € 368En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMZ120R140M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Fiche technique	368En stock	5,42 € 3,76 € 3,51 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 6,58 € 6 410En stock 9 000Sur commande	Fab. Numéro de référence IMBF170R450M1XTMA1 Référence Mouser 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Fiche technique	6 410En stock 9 000Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMBF170R450M1XTMA1 Stock: 6 410 Expédition possible immédiatement Sur commande: 3 000 08/07/2027 attendu 6 000 À déterminer Délai usine : 52 Semaines	Bande coupée 6,58 € 4,40 € 3,54 € 3,15 € Bobine 2,79 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 1 000 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,22 € 3 851En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R220M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	3 851En stock	6,22 € 3,24 € 2,98 € 2,97 € 2,69 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,57 € 1 701En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW65R027M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	1 701En stock	12,57 € 7,56 € 7,46 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,25 € 339En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW65R048M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	339En stock	9,25 € 5,03 € 4,65 € 4,62 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,86 € 839En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMZ120R060M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Fiche technique	839En stock	9,86 € 7,14 € 5,94 € 5,29 € 4,95 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,95 € 298En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMZA65R048M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	298En stock	8,95 € 5,15 € 4,77 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,85 € 2 436En stock	Fab. Numéro de référence IMBF170R650M1XTMA1 Référence Mouser 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Fiche technique	2 436En stock	Bande coupée 5,85 € 3,84 € 2,82 € 2,51 € Bobine 2,22 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 14,07 € 944En stock 1 00026/10/2027 attendu NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R030M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	944En stock 1 00026/10/2027 attendu	Bande coupée 14,07 € 8,43 € Bobine 7,87 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,46 € 3 846En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R140M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	3 846En stock	Bande coupée 6,46 € 3,47 € 3,17 € Bobine 2,95 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,39 € 1 120En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R350M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	1 120En stock	Bande coupée 5,39 € 3,53 € 2,61 € 2,36 € Bobine 2,36 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 500 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,15 € 239En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R030M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	239En stock	16,15 € 12,30 € 10,25 € 9,13 € 7,76 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,95 € 884En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R090M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	884En stock	7,95 € 4,26 € 3,92 € 3,73 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,85 € 314En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW65R072M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	314En stock	6,85 € 3,93 € 3,66 € 3,52 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,51 € 463En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW65R107M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	463En stock	6,51 € 3,41 € 3,14 € 2,90 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,53 € 27En stock 1 920Sur commande NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R060M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	27En stock 1 920Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMW120R060M1HXKSA1 Stock: 27 Expédition possible immédiatement Sur commande: 720 En attente 1 200 19/11/2026 attendu Délai usine : 52 Semaines	9,53 € 6,73 € 5,62 € 5,00 € 4,67 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,12 € 63En stock 96010/12/2026 attendu NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R350M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	63En stock 96010/12/2026 attendu	6,12 € 4,01 € 2,96 € 2,62 € 2,32 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,03 € 19En stock 2 160Sur commande NRND	Fab. Numéro de référence IMZ120R220M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Fiche technique	19En stock 2 160Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMZ120R220M1HXKSA1 Stock: 19 Expédition possible immédiatement Sur commande: 960 25/03/2027 attendu 1 200 01/04/2027 attendu Délai usine : 52 Semaines	7,03 € 4,70 € 3,78 € 3,35 € 2,98 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,15 € 179En stock 24028/01/2027 attendu NRND	Fab. Numéro de référence IMZ120R350M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Fiche technique	179En stock 24028/01/2027 attendu	6,15 € 4,11 € 3,31 € 2,93 € 2,60 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,68 € 17En stock 3 600Sur commande NRND	Fab. Numéro de référence IMZA65R027M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	17En stock 3 600Sur commande	13,68 € 7,75 € 7,68 € 7,67 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,20 € 24 930Sur commande	Fab. Numéro de référence IMBF170R1K0M1XTMA1 Référence Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Fiche technique	24 930Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMBF170R1K0M1XTMA1 Stock: 0 Sur commande: 1 930 07/01/2027 attendu 23 000 À déterminer Délai usine : 53 Semaines	Bande coupée 5,20 € 3,41 € 2,55 € 2,13 € Bobine 1,85 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC