HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Résultats: 720
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement

IXYS MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
Fiche technique
73En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 71 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 180A N-CH X3CLASS
Fiche technique
95En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 154 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 18A
Fiche technique
16En stock
87017/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Fiche technique
116En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds
Fiche technique
186En stock
9008/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 86 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Fiche technique
185En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id24 BVdass800
Fiche technique
20En stock
1 11013/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
Fiche technique
311En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 30A
Fiche technique
167En stock
2 55028/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 36A
Fiche technique
274En stock
30023/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 36A
Fiche technique
186En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
Fiche technique
12En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
Fiche technique
51En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 50 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 56A N-CH X3CLASS
Fiche technique
39En stock
9016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Fiche technique
158En stock
3 81013/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Fiche technique
188En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Fiche technique
1En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180A 250V
Fiche technique
52En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 180 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
Fiche technique
53En stock
20002/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
Fiche technique
5En stock
30013/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 78 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 147 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600
Fiche technique
224En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 740 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Fiche technique
300En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 110 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
Fiche technique
2En stock
10018/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 500 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-220
Fiche technique
172En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/14A UlJun XCl
Fiche technique
19En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube