SanRex Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets
Types de Semiconducteurs discrets
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SanRex TMG Through Hole Standard Gate Triacs
04/25/2024
04/25/2024
Used in phase controls and solid-state switching for industrial and home appliance applications.
SanRex GSA IGBT Modules
08/01/2022
08/01/2022
IGBT modules offer a low Vce(sat) type and a high-speed switching type with SOT-227 package.
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RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
04/24/2026
04/24/2026
Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
Littelfuse SJx08x High-Temperature SCRs
04/24/2026
04/24/2026
Voltage of up to 800V, surge current capability of up to 100A, & a temperature rating of +150°C.
Littelfuse QVx35xHx High-Temperature Alternistor TRIACs
04/24/2026
04/24/2026
Offers a 35A rated current and is available in TO-220AB, TO-220 isolated, and TO-263 packages.
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04/16/2026
04/16/2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X
04/14/2026
04/14/2026
Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04/10/2026
04/10/2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M
04/07/2026
04/07/2026
Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.
Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x
04/07/2026
04/07/2026
Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E
04/06/2026
04/06/2026
MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.
Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V
04/02/2026
04/02/2026
Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04/02/2026
04/02/2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04/02/2026
04/02/2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P
03/31/2026
03/31/2026
Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.
STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG
03/31/2026
03/31/2026
Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V
03/27/2026
03/27/2026
Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.
Infineon Technologies Diodes multi-usage pour la protection DES
03/27/2026
03/27/2026
Avec une protection optimale dans un empreinte compact, ces diodes offrent des performances DES supérieures.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N
03/27/2026
03/27/2026
Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
03/24/2026
03/24/2026
Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.
Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU
03/20/2026
03/20/2026
à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.
Vishay Suppresseurs de tension transitoire XClampR® XFD11K
03/18/2026
03/18/2026
Les dispositifs bidirectionnels à montage en surface conçus pour une stabilité à haute température et une haute fiabilité.
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
03/18/2026
03/18/2026
TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8
03/17/2026
03/17/2026
Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].
Infineon Technologies Commutateurs bidirectionnels CoolGaN moyenne tension™
03/17/2026
03/17/2026
Ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour servir de commutateurs de déconnexion de batterie dans diverses applications.
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