Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02/02/2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01/20/2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10/08/2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

IXYS MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

09/19/2025

- Ces composants affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

IXYS MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K

08/27/2025

- Tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ.

IXYS Redresseurs automobiles en silicium série Dx

04/14/2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS Diodes SCHOTTKY SiC DCK

04/03/2025

- Affiche exploitation haute fréquence et capacité élevée de courant de surtension.

IXYS Module diode à thyristor MCMA140PD1800TB

03/25/2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS MOSFET de puissance IXFP34N65X2W

03/17/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET de puissance IXFH34N65X2W

02/27/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET de puissance IXFH46N65X2W

02/27/2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11/28/2024

- Offrent une tension nominale de 200 V, une plage de courant de 340 A à 500 A et un boîtier SOT-227B.

IXYS 2 diodes à récupération rapide 50 A, 1 200 V DPF100C1200HB

11/22/2024

- Deux diodes de commutation de puissance à usage général dans une configuration à cathode commune et un boîtier TO-247.

IXYS IGBT XPT Gen5

07/25/2024

- Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.

IXYS Redresseur DPF30U200FC en pont triphasé sous 200 V et à 30 A

07/22/2024

- Ce dispositif sert couramment de redresseur dans des alimentations électriques à découpage (SMPS).

IXYS Diode DSEP60-06AZ à récupération rapide 60 A et 600 V

07/08/2024

- Diode simple à récupération progressive, à faibles pertes et à hautes performances en boîtier TO-268AA (D3PAK-HV).

IXYS SCR sensible SRU6008DS2RP

02/19/2024

- Un SCR à blocage direct élevé de 600 V, idéal pour les applications de décharge de condensateur à haute tension.

IXYS Modules thyristors MCMA140P1600TA-NI

01/18/2024

- Dispose de puces planaires passivées et de céramique Al2O3 à liaison directe en cuivre pour la fréquence de ligne.

IXYS Modules FRED MPA 95-06DA

01/18/2024

- Dispose de puces planaires passivées et permet une faible perte de commutation pour les dispositifs de commutation à haute fréquence.

IXYS Redresseurs à diode unique DMA80I1600HA

08/11/2022

- Comportent des puces passivées planes, un faible courant de fuite et une faible chute de tension directe.

IXYS Doubles SCR sensibles 1,5 A STS802U2SRP

08/10/2022

- Offrent un dv/dt statique élevé avec un faible temps d'arrêt (tq) et une capacité de surtension jusqu'à 20 A.

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Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04/16/2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04/14/2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04/10/2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x

04/07/2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M

04/07/2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04/02/2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04/02/2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04/02/2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03/31/2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03/27/2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

Infineon Technologies Diodes multi-usage pour la protection DES

03/27/2026

- Avec une protection optimale dans un empreinte compact, ces diodes offrent des performances DES supérieures.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03/27/2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier

03/24/2026

- Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.

Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU

03/20/2026

- à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.

Vishay Suppresseurs de tension transitoire XClampR® XFD11K

03/18/2026

- Les dispositifs bidirectionnels à montage en surface conçus pour une stabilité à haute température et une haute fiabilité.

Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS

03/18/2026

- TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03/17/2026

- Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03/17/2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

Infineon Technologies Commutateurs bidirectionnels CoolGaN moyenne tension™

03/17/2026

- Ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour servir de commutateurs de déconnexion de batterie dans diverses applications.

Diodes Incorporated Redresseurs planaires hyper-rapides DTHP60B07PT 60 A

03/13/2026

- Dotés d’une tension inverse de 650 V, d’une faible chute de tension directe et d’un temps de récupération inverse ultra-rapide.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03/13/2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

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