Tube MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Fiche technique
297En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
Fiche technique
325En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 16A
Fiche technique
1 727En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Fiche technique
729En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
Fiche technique
239En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
Fiche technique
260En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 200 V 300 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
Fiche technique
267En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Fiche technique
854En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 4500V 0.9A HV Power MOSFET
Fiche technique
166En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 900 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
Fiche technique
315En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 100 V 52 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Fiche technique
269En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET
Fiche technique
923En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
Fiche technique
491En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Low Noise
Fiche technique
594En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 260 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 9A N-CH MOSFET
Fiche technique
1 964En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
1 515En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO252 200V 2.6A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
28 766En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 2.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 10A
Fiche technique
Commentaire Produit
3 889En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 800V 15A N-CH MOSFET
Fiche technique
9 673En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 179 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Fiche technique
666En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
Fiche technique
Commentaire Produit
3 524En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10.5 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Tube
Vishay MOSFET TO220 600V 12A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
3 912En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 15A N-CH MOSFET
Fiche technique
1 837En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Fiche technique
748En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 57 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 200V 9A N-CH MOSFET
Fiche technique
4 038En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 9 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube