Infineon Technologies MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2 en 30 V
Les MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2 en 30 V d'Infineon Technologies sont optimisés pour les fréquences de commutation basses et élevées, permettant une flexibilité de conception. Ces dispositifs offrent une efficacité haute puissance pour une performance globale du système améliorée, tout en présentant une excellente robustesse. Les valeurs nominales de courant accrues permettent d'obtenir une capacité de transport de courant plus élevée, ce qui élimine le besoin de mettre en parallèle plusieurs dispositifs, ce qui se traduit par une réduction des coûts de la nomenclature (BOM) et des économies sur la carte. Les applications comprennent les alimentations électriques (SMPS), les entraînements à moteur, les dispositifs alimentés par batterie, la gestion de batterie, l'alimentations sans interruption (ASI), les véhicules électriques légers, les outils électriques, les outils de jardinage, les adaptateurs et les applications grand public.
Caractéristiques
- Optimisés pour une large plage d’applications
- Niveau logique, canal N
- Idéal pour les fréquences de commutation élevées et basses
- Empreinte norme industrielle avec boîtier traversant PG‑TO252‑3
- Courant élevé
- Testé à 100 % en avalanche
- Classe de température de +175 °C
- Placage de fil sans plomb
- Conforme à la directive RoHS
- Sans halogène selon la norme IEC61249‑2‑21
Applications
- Onduleurs (ASI)
- Adaptateurs
- Entraînements à moteur
- Gestion de batterie
- Véhicules électriques légers
- Gestion de l'alimentation (SMPS)
- Applications alimentées par batterie
Caractéristiques techniques
- Tension de rupture drain-source de 30 V
- Tension porte-source de 20 V
- Tension de seuil porte-source de 2,35 V
- Plage de courant de drain continu de 71 A à 143 A
- Plage de résistance entre le drain et la source de 2,05 mΩ à 4,7 mΩ
- Plage de temps de descente de 6,4 ns à 11 ns
- Plage de temps de montée de 10 ns à 24 ns
- Plage de délai de passage à la fermeture typique de 11 ns à 20 ns
- Plage de délai de passage à l’ouverture typique de 10 ns à 25 ns
- Plage de transconductance directe minimale de 45 S à 100 S
- Plage de dissipation d’énergie de 65 W à 136 W
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C
Voir tout
Infineon Technologies MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2
MOSFET de puissance à canal N, de niveau normal et testés à 100 % en mode avalanche.
Publié le: 2024-11-05
| Mis à jour le: 2025-09-24