Infineon Technologies MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2
Les MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2 Infineon Technologies sont des MOSFET à canal N et niveau normal, 100 % testés en mode avalanche. Les MOSFET StrongIRFET 2 Infineon sont optimisés pour un large éventail d’applications. Les MOSFET offrent une plage de 80 V à 100 V VDS et un RDS(on) de 2,4 mΩ à 8,2 mΩ.
Caractéristiques
- Optimisés pour un large éventail d'applications
- Canal N, niveau normal
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Placage des fils sans plomb
- Conforme à la directive RoHS
- Non halogéné, conformément à la norme CEI61249-2-21
Application du circuit du boîtier
Style de boîtier
Featured Products
Infineon Technologies MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2 en 30 V
Optimisés pour les fréquences de commutation basses et élevées, permettant une flexibilité de conception.
Publié le: 2021-01-21
| Mis à jour le: 2025-09-24