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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K

Les MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K de ROHM Semiconductor disposent de deux MOSFET de 40 V ou 60 V dans un petit boîtier SOP8 CMS avec huit bornes. La série SH8K offre une faible résistance à l’état passant et une RDS (on) maximale de 8,4 mΩ, 12,4 mΩ ou 19,4 mΩ. Les autres caractéristiques sont une dissipation d'énergie de 2 W et un ID de courant de drain de ±8,5 A, ±10,5 A ou ±13,5 A. Ces MOSFET conformes RoHS sont sans halogènes et utilisent un placage sans plomb. Les MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les applications de commutation.

Caractéristiques

  • Polarité double double canal N et canal N
  • 8 bornes
  • Faible résistance à l'état passant
  • Petit boîtier à montage en surface (SOP8)
  • Idéal pour les applications de commutation
  • Placage sans plomb
  • Conforme à la directive RoHS
  • Sans halogène

Caractéristiques techniques

  • Tension de source de drain de 40 V ou 60 V (VDSS)
  • RDS (on) de 8,4 mΩ, 12,4 mΩ ou 19,4 mΩ maximum
  • ID de courant de drain de ±8,5 A, ±10,5 A ou ±13,5 A
  • Dissipation de puissance 2 W

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Numéro de pièce Fiche technique Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Qg - Charge de grille
SH8KB7TB1 SH8KB7TB1 Fiche technique 40 V 13.5 A 8.4 mOhms 27 nC
SH8KE6TB1 SH8KE6TB1 Fiche technique 100 V 4.5 A 58 mOhms 6.7 nC
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 Fiche technique 100 V 8 A 20.9 mOhms 19.8 nC
SH8KA4TB1 SH8KA4TB1 Fiche technique 30 V 9 A 21.4 mOhms 15.5 nC
SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Fiche technique 40 V 8.5 A 19.4 mOhms 10.6 nC
SH8KC7TB1 SH8KC7TB1 Fiche technique 60 V 10.5 A 12.4 mOhms 22 nC
Publié le: 2021-06-30 | Mis à jour le: 2023-09-07