STMicroelectronics MOSFET de puissance STP65N150M9

Le MOSFET de puissance STP65N150M9 de STMicroelectronics est basé sur la technologie MDmesh M9 à super-jonction. Le composant est adapté aux MOSFET à moyenne/haute tension disposant d'une R_DS(on) très faible par zone. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication à drain multiple, permettant une structure de dispositif améliorée. Le produit qui en résulte dispose de l'une des valeurs de résistance à l'état passant et de charge de grille réduites parmi tous les MOSFET de puissance à super-jonction et commutation rapide à base de silicium. Cela le rend idéal pour les applications qui nécessitent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.