onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V
Les MOSFETs 650 V au carbure de silicium (SiC) d'onsemi offrent des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium (Si). Ces MOSFET SiC 650 V ont une faible résistance à l'état passant et une taille de puce compacte pour garantir une faible capacité et une faible charge de grille. Ils présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.
Caractéristiques
- Faible RDS(on)
- Température de jonction élevée
- Tj = 175 °C
- Testé à 100 % UIL
- Conforme à la directive RoHS
- Commutation à haute vitesse et faible capacité
- Valeur nominale de 650 V
Applications
- Convertisseur CC-CC
- Onduleur Boost
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Fournissent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles de ceux au silicium simple.
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Logés dans un boîtier TO-247-3L et conçus pour être rapides et robustes.
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Logé dans un boîtier TO-247-4L et conçu pour être rapide et robuste.
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Logé dans un boîtier TOLL NTBL045N065SC1, il est conçu pour être rapide et robuste.
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Logé dans un boîtier D2PAK-7L et conçu pour être rapide et robuste
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Logé dans un boîtier A D2PAK-7L et conçu pour être rapide et robuste.
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En savoir plus sur EliteSiC
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