onsemi IGBT à tranchée FGHL75T65LQDT
Les IGBT à tranchée FGHL75T65LQDT d'onsemi offrent une capacité de courant élevé et fonctionnent à un maximum de 175 °C. Ces IGBT disposent d'une commutation fluide et optimisée et d'une distribution étroite des paramètres. Les IGBT à arrêt de champ FGHL75T65LQDT sont co-emballés avec une diode de récupération douce et rapide et sont conformes à la directive RoHS. Les applications comprennent les onduleurs solaires, les ASI, les ESS, les PFC et les convertisseurs.
Caractéristiques
- Température de jonction TJ maximale de 175 °C
- Coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle facile
- Capacité d'intensité élevée
- Faible tension de saturation :
- VCE(sat) = 1,15 V (standard) à IC = 75 A
- 100 % des pièces sont testées pour ILM
- Commutation optimisée et fluide
- Distribution étroite des paramètres
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Onduleurs solaires
- ASI et ESS
- Convertisseurs et PFC
Fiches techniques
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Publié le: 2022-04-10
| Mis à jour le: 2022-11-13