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Types de Semi-conducteurs

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ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04/10/2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03/17/2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB

11/24/2025

- L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.

ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM

11/03/2025

- Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.

ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10/17/2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10/16/2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z

09/26/2025

- Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003

08/27/2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003

08/27/2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S

08/21/2025

- Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08/21/2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH

08/21/2025

- Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08/21/2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM

08/20/2025

- Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08/19/2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.

ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5

08/19/2025

- Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08/19/2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08/19/2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA

08/19/2025

- Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.

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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

05/27/2026

- Advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching.

Texas Instruments SN74LVC240A/-Q1 Octal Buffer/Drivers

05/27/2026

- Offers a reliable 8-bit buffer solution with 3-state outputs for signal buffering and driving apps.

Infineon Technologies REF-SMD5KIMSQM2INV 3-Phase Inverter Power Board

05/26/2026

- Evaluates Infineon CoolSiC™ G2 MOSFETs in an integrated servo drive application.

YAGEO Nexensos MB Pt Temperature Sensors

05/26/2026

- For applications where competitive costs, long-term stability, and interchangeability are vital.

Texas Instruments TPUL2T223/-Q1 Monostable Multivibrators

05/26/2026

- Two independent RC-configurable non-retriggerable mono multivibrators for 1.5V to 5.5V operation.

Infineon Technologies PROFET™ + 48V Automotive Smart High-Side Switches

05/26/2026

- Offer comprehensive protection functions, current sense diagnosis, and 1/2/4-channels.

Infineon Technologies EVAL-FFXMR12MM1H EconoDUAL™ 3 Evaluation Board

05/26/2026

- Enables fast evaluation of EconoDUAL™ 3 power modules with CoolSiC™ technology.

Texas Instruments TPUL2T323/-Q1 Monostable Multivibrators

05/26/2026

- Integrates two independent extended-pulse-width, RC-configurable retriggerable mono multivibrators.

Texas Instruments TPUL2G122/-Q1 & TPUL2G122A/-Q1 Dual Multivibrators

05/22/2026

- Offers two independent RC-configurable channels for generating timed output pulses.

Texas Instruments Tampons et pilotages de lignes octaux SN74LVC241A

05/22/2026

- Fournit une solution de tampon 8 bits avec des sorties à 3 états pour un contrôle fiable du signal numérique.

Texas Instruments Tampons/pilotes octaux SN74LVC541A/-Q1

05/22/2026

- Fournit une solution de tampon/pilote octal conçue pour un fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V VCC.

Qorvo QPA0023 6GHz to 18GHz Driver Amplifier

05/22/2026

- A high-performance driver amplifier fabricated on a 0.15µm production pHEMT process.

Abracon GNSS Solutions

05/22/2026

- Feature high-accuracy antennas, 3dB 90° hybrid couplers, and high-rejection SAW diplexers/filters.

Texas Instruments Tampon/pilote octal SN74LVCZ244A

05/22/2026

- Option de tampon/pilote octal fiable pour un fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V VCC.

Texas Instruments TPUL2T123/-Q1 Monostable Multivibrators

05/22/2026

- Two independent, RC-configurable, retriggerable mono multivibrators for 1.5V to 5.5V operation.

Texas Instruments TPUL2G223/-Q1 Dual Monostable Multivibrators

05/22/2026

- Contains two independent RC-configurable retriggerable monostable multivibrators.

Texas Instruments TPUL2T122x/-Q1 Dual Monostable Multivibrators

05/22/2026

- Two independent RC-configurable retriggerable monostable multivibrators for 1.5V to 5.5V operation.

Texas Instruments tampons/pilotes octaux SN74LVC9541A/-Q1

05/22/2026

- Les tampons octaux dotés de sorties à trois états et d'entrées à déclenchement de Schmitt sont idéaux pour piloter une LED indicatrice.

Texas Instruments Tampons/pilotes octaux SN74LVC540A/-Q1

05/22/2026

- Fournit une solution de tampon/pilote octal conçue pour un fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V VCC.

Apogee Semiconductor AP54RHC420 Latch

05/21/2026

- Radiation-hardened by design, a dual quad-SR latch with cold sparing and Schmitt trigger inputs.

Diodes Incorporated API21550Q Isolated Half-Bridge Gate Driver

05/21/2026

- The device offers 5V, 8V, and 12V VDD UVLO options for driving GaN, MOSFETs, and IGBT/SIC devices.

Sensirion Kit d'évaluation SEK-SGP4x-Sensor

05/21/2026

- Conçu pour les ingénieurs et les développeurs afin de créer des prototypes et d’intégrer rapidement des capteurs de gaz COV et NOx.

Hailo Hailo-8 AI Processor

05/19/2026

- Features up to 26 tera-operations per second (TOPS) in a size smaller than a penny.

Diodes Incorporated Pilote MOSFET à double canal APR3492

05/19/2026

- Un pilote MOSFET côté secondaire pour le redressement synchrone dans les convertisseurs résonnants LLC.

Hailo Hailo-8L Entry-Level AI Accelerator

05/19/2026

- Designed to support entry-level products requiring limited AI capacity or lower performance.

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