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ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

Les Modules de puissance de Haute densité au carbure de silicium (SiC) de ROHM Semiconductor sont conçus pour prendre en charge une conversion de puissance à haut rendement dans l'automobile et dans d'autres applications industrielles. La gamme comprend plusieurs plateformes de boîtiers telles que TRCDRIVE pack™, HSDIP20 et DOT-247, chacune étant optimisée pour différentes classes de puissance et pour diverses exigences de systèmes. Ces boîtiers intègrent des MOSFET au SiC en structures de modules compacts, qui permettent une haute densité de puissance et une gestion thermique efficace. Selon le boîtier, des configurations telles que 2 en 1, 4 en 1 et 6 en 1 sont possibles, ce qui offre de la flexibilité pour une large gamme de conversion de puissance et d'applications d'entraînement de moteurs.

De nombreux modules au SiC de la gamme ROHM permettent des tensions de fonctionnement pouvant atteindre 1 200 V, avec une haute capacité de courant. Ces dispositifs sont utilisés dans des applications, notamment des onduleurs, des convertisseurs, des chargeurs embarqués et des circuits de correction de facteur de puissance (PFC). Les structures et substrats de modules avancés sont conçus pour favoriser une dissipation thermique efficace et un fonctionnement fiable dans des environnements de haute puissance. Ces modules peuvent servir à implémenter des architectures courantes de convertisseurs de puissance, tandis que des topologies multiniveaux, telles que la NPC à 3 niveaux, la T-NPC à 3 niveaux et l'ANPC à 5 niveaux, sont possibles lors de la conception de systèmes.

En combinant une technologie avancée au SiC à des modules optimisés, les modules de puissance au SiC et à haute densité de ROHM contribuent à réduire l'espace de carte et à simplifier les conceptions des systèmes. Ces solutions permettent une large gamme d'applications automobiles et d'autres applications industrielles où rendement, fiabilité et compacité de conception s'avèrent essentiels.

Caractéristiques

  • Plateforme de module de puissance au SiC de 1 200 V
  • Haute capacité de courant, pour des systèmes exigeants d'alimentation électrique
  • Disponibles en boîtiers DOT-247 et HSDIP20
  • Conceptions de modules compacts et à hautes densités
  • Configurations 2 en 1, 4 en 1 et 6 en 1
  • Prend en charge des topologies de PFC, de LLC, de convertisseurs et d'entraînements motorisés
  • Performances thermiques optimisées, pour un fonctionnement à haute puissance
  • Permet de réduire l’espace de carte et de simplifier la conception de système
  • Convient aux environnements automobiles et à d'autres environnements industriels

Applications

  • Chargeurs embarqués pour l'automobile (OBC)
  • Convertisseurs pour véhicules électriques et hybrides rechargeables
  • Systèmes de conversion de puissance pour l'automobile
  • Stations de charge pour véhicules électriques et pour systèmes V2X
  • Entraînements à moteur industriels et servomoteurs à CA
  • Circuits PFC
  • Convertisseurs résonnants LLC
  • Onduleurs PV et convertisseurs de puissance
  • Alimentations électriques sans interruption (ASI)
  • Relais à semiconducteurs

Modules présentés

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm  et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

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Numéro de pièce Fiche technique Vds - Tension de rupture drain-source Pd - Dissipation d’énergie Id - Courant continu de fuite Nombre de canaux Temps de montée Temps de descente Délai de désactivation type Délai d'activation standard
BST70B2P4K01-VC BST70B2P4K01-VC Fiche technique 1.2 kV 385 W 70 A 4 Channel 36 ns 15 ns 153 ns 36 ns
SCZ4011KTAC23 SCZ4011KTAC23 Fiche technique 1.2 kV 361 W 106 A 2 Channel 19 ns 16 ns 133 ns 24 ns
BST400D12P4A101 BST400D12P4A101 Fiche technique 1.2 kV 1.667 kW 394 A 2 Channel 102 ns 42 ns 198 ns 119 ns
BST91B1P4K01-VC BST91B1P4K01-VC Fiche technique 750 V 385 W 90 A 4 Channel 39.3 ns 14.2 ns 213.2 ns 49.3 ns
BST91T1P4K01-VC BST91T1P4K01-VC Fiche technique 750 V 385 W 90 A 6 Channel 39.3 ns 14.2 ns 213.2 ns 49.3 ns
BST47T1P4K01-VC BST47T1P4K01-VC Fiche technique 750 V 227 W 47 A 6 Channel 23 ns 15 ns 103 ns 24 ns
Publié le: 2026-03-03 | Mis à jour le: 2026-04-10