Nouveauté Semiconducteurs discrets
Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode provides protection for data ports that meet IEC 61000-4-2 (ESD), IEC 61000-4-4 (EFT), and IEC 61000-4-5 (surge) requirements. This diode is AEC-Q101 compliant and offers a working peak voltage of 7V to 12V, 30kV maximum ESD protection, and a 400W peak pulse power rating. The SOT23 packaged device mounts directly on the industry-standard SOT23 footprint, and this diode conforms to JEDEC standards, making it easy to handle with standard pick-and-place equipment. Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode is suitable for wireless systems, network protection, portable electronics, and RS-485 port protection.
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Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS DiodeProvides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.12/05/2026
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Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FLSpécialement conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires.04/05/2026 -
Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FLPuissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.04/05/2026 -
Littelfuse Diodes TVS AK-FLDiodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.04/05/2026 -
Littelfuse SCR haute température SJx08xTension jusqu'à 800 V, capacité de courant de surtension jusqu'à 100 A et température de fonctionnement jusqu'à +150°C.24/04/2026 -
Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHxOffre un courant nominal de 35 A et est disponible dans les emballages TO-220AB, TO-220 isolés et TO-263.24/04/2026 -
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete SolutionsFeatures components ideal for energy, industrial, and medical applications.24/04/2026 -
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky DiodeDesigned for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.16/04/2026 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08XOptimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.14/04/2026 -
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiCLes boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.10/04/2026 -
Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-MRedresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.07/04/2026 -
Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07xRedresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.07/04/2026 -
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETLow switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.07/04/2026 -
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1EMOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.06/04/2026 -
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS DiodesAEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.02/04/2026 -
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor DiodesHigh-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.02/04/2026 -
Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 VCe dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.02/04/2026 -
Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal PIdéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.31/03/2026 -
STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AGUn MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.31/03/2026 -
Infineon Technologies Diodes multi-usage pour la protection DESAvec une protection optimale dans un empreinte compact, ces diodes offrent des performances DES supérieures.27/03/2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 VOffrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.27/03/2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal NPerformances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.27/03/2026 -
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge RectifiersCompact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.24/03/2026 -
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETDelivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.24/03/2026 -
Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRUà semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.20/03/2026