Nouveauté Modules d'alimentation et solutions discrètes
Les Modules de puissance de Haute densité au carbure de silicium (SiC) de ROHM Semiconductor sont conçus pour prendre en charge une conversion de puissance à haut rendement dans l'automobile et dans d'autres applications industrielles. La gamme comprend plusieurs plateformes de boîtiers telles que TRCDRIVE pack™, HSDIP20 et DOT-247, chacune étant optimisée pour différentes classes de puissance et pour diverses exigences de systèmes. Ces boîtiers intègrent des MOSFET au SiC en structures de modules compacts, qui permettent une haute densité de puissance et une gestion thermique efficace. Selon le boîtier, des configurations telles que 2 en 1, 4 en 1 et 6 en 1 sont possibles, ce qui offre de la flexibilité pour une large gamme de conversion de puissance et d'applications d'entraînement de moteurs.
-
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiCLes boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.10/04/2026
-
Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 VCe dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.02/04/2026 -
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulésPrésente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.17/03/2026 -
TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1RDispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.05/02/2026 -
Infineon Technologies Modules MOSFET EasyPACK™ CoolSiC™ TrenchTechnologie de contact PressFIT et capteur de température NTC intégré.09/10/2025 -
STMicroelectronics Module d’alimentation automobile M2TP80M12W2-2LAPropose une topologie PFC triphasée à 4 fils avec NTC intégré pour l’OBC dans les véhicules électriques et hybrides.26/09/2025 -
STMicroelectronics Module d’alimentation automobile M2P45M12W2-1LAPropose une topologie à six packs avec NTC pour l’étape convertisseur CC/CC de l’OBC dans les véhicules électriques.26/09/2025 -
onsemi Modules convertisseurs NPC à 3 niveaux NXH600N10xLes modules d'alimentation dans le F5BP contiennent un convertisseur à trois niveaux au point neutre bloqué de type I.25/08/2025 -
SemiQ Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 VWith an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.11/08/2025 -
Infineon Technologies Modules HybridPACK™ DSC S avec MOSFET SiC et NTCModules d'alimentation haute performance pour applications automobiles exigeantes.22/07/2025 -
Infineon Technologies Modules IGBT 7 EconoPACK™3 TRENCHSTOP™Associés à des diodes Schottky CoolSiC™ et à une thermistance NTC intégrée pour une surveillance thermique fiable.01/07/2025 -
onsemi Modules d’alimentation intelligents NFAM (IPM)Solutions compactes et Hautement intégrées conçues pour un contrôle de moteur efficace et fiable.23/06/2025 -
onsemi Module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC)Doté d’un pont complet MOSFET SiC M3S 15mΩ/1200 V et d’une thermistance avec DBC Al2O3 dans un boîtier F1.23/05/2025 -
Wolfspeed Modules d'alimentation en carbure de silicium YM Six-PackLes modules qualifiés pour l'industrie automobile sont conçus pour une intégration de conception transparente et une grande durabilité.14/05/2025 -
Infineon Technologies Modules TRENCHSTOP IGBT7 série C 62 mmOffre une haute puissance densité et un coefficient de température positif pour les applications industrielles.01/04/2025 -
IXYS Module diode à thyristor MCMA140PD1800TB140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.25/03/2025 -
Vishay MOSFET de puissance en carbure de silicium VS-VF à commutation uniqueMOSFET SiC haute performance, idéaux pour les applications de commutation haute fréquence.17/03/2025 -
Vishay Modules d'alimentation MOSFET SiC MAACPAK PressFitConçus pour augmenter l'efficacité et la fiabilité pour les applications de fréquence moyenne à élevée.17/03/2025 -
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power ModulesRobust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.20/02/2025 -
Micro Commercial Components (MCC) IGBT à arrêt de champ en tranchée MIS80N120NT1YHE3 1 200 VMade for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.28/11/2024 -
IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4Offrent une tension nominale de 200 V, une plage de courant de 340 A à 500 A et un boîtier SOT-227B.28/11/2024 -
Wolfspeed Modules de puissance au carbure de silicium 2 300 VCes composants sont des modules d’alimentation 2 300 V au carbure de silicium sans embase pour les applications V-bus 1 500 V.08/10/2024 -
onsemi Modules au carbure de silicium (SiC) NXH0xxP120M3F1Contiennent des MOSFET de 8 mΩ, de 10 mΩ, de 15 mΩ et de 30 mΩ/ 1 200 V M3S basés sur une topologie en demi-pont.28/08/2024 -
onsemi Modules d'alimentation IGBT QDual3 NXH800H120L7QDSGModule d'alimentation IGBT à demi-pont nominal de 1 200 V, 800 A, idéal pour les moteurs, les actionneurs et les entraînements solaires ainsi que pour les ASI.26/08/2024 -
onsemi Modules au carbure de silicium (SiC) NVVR26A120M1WSxFait partie des modules d'alimentation hautement intégré SiC VE-Trac™ B2 pour les applications de convertisseur de traction EV/HEV.14/08/2024