Nouveauté Transistors

Le MOSFET de puissance à canal N simple NVBYST0D8N08X d'onsemi est conçu pour répondre aux exigences élevées en matière de puissance et d'applications automobiles. Basé sur la technologie MOSFET avancée d'onsemi, le NVBYST0D8N08X allie de faibles pertes de conduction à des performances de commutation robustes, ce qui en fait un dispositif judicieux pour les conceptions nécessitant à la fois efficacité et durabilité. Le MOSFET est optimisé pour une exploitation à des tensions élevés et résiste aux commutation rapides et aux contraintes de courant élevé couramment rencontrées avec la conversion d'énergie, le contrôle de moteur et les circuits de commutation de charge.
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onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08XOptimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.14/04/2026 -
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiCLes boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.10/04/2026 -
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETLow switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.07/04/2026 -
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1EMOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.06/04/2026 -
Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 VCe dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.02/04/2026 -
Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal PIdéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.31/03/2026 -
STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AGUn MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.31/03/2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 VOffrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.27/03/2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal NPerformances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.27/03/2026 -
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETDelivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.24/03/2026 -
Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRUà semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.20/03/2026 -
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulésPrésente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.17/03/2026 -
Infineon Technologies Commutateurs bidirectionnels CoolGaN moyenne tension™Ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour servir de commutateurs de déconnexion de batterie dans diverses applications.17/03/2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].17/03/2026 -
onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NLConçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.13/03/2026 -
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.10/03/2026 -
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.10/03/2026 -
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.10/03/2026 -
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.10/03/2026 -
Qorvo HEMT Gan/Sic de 300 W QPD2560LConçu pour des applications exigeantes en bande L, fonctionnant dans la gamme de fréquences de 1,0 GHz à 1,5 GHz.09/03/2026 -
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.06/03/2026 -
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power TransistorEngineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.05/03/2026 -
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power TransistorHandles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.05/03/2026 -
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power TransistorOffers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.05/03/2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal NDispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.05/03/2026 -
