Nouveauté MOSFET
Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N d'Infineon Technologies sont des dispositifs de canal N, de niveau normal, avec une résistance thermique supérieure. La série de MOSFET de puissance OptiMOS 7 80 V propose une diode de corps à récupération douce et est évaluée à 175 °C. Les MOSFET de puissance Infineon OptiMOS 7 de 80 V sont disponibles dans un boîtier PG‑TDSON‑8 et sont optimisés pour les applications d’entraînements à moteur et de redressement synchrone.
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Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal NDispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.05/03/2026
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IXYS MOSFET de puissance X4-ClassIls offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.02/02/2026 -
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08XCe dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).26/12/2025 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 VDéfinit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.23/12/2025 -
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NLConçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.19/12/2025 -
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.25/11/2025 -
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.25/11/2025 -
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETsDesigned for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.24/11/2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NLIl présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.20/11/2025 -
onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NLAffichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.20/11/2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NLMOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.19/11/2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NLMOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.19/11/2025 -
Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode EOffre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.31/10/2025 -
Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDWIntègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.31/10/2025 -
Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.21/10/2025 -
Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).17/10/2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3xMOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.16/10/2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139PIl est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.14/10/2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031LLe dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.14/10/2025 -
IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.08/10/2025 -
onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.06/10/2025 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance 40 V optimisés OptiMOS™ 7Offrent des solutions sur mesure pour une conversion d'énergie efficace dans les moteurs, les outils électriques et les outils de jardinage.02/10/2025 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal NTransistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes.30/09/2025 -
Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WFUtilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.29/09/2025 -
Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9QCompatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.09/09/2025