Nouveauté MOSFET

Le MOSFET de puissance à canal N simple NVBYST0D8N08X d'onsemi est conçu pour répondre aux exigences élevées en matière de puissance et d'applications automobiles. Basé sur la technologie MOSFET avancée d'onsemi, le NVBYST0D8N08X allie de faibles pertes de conduction à des performances de commutation robustes, ce qui en fait un dispositif judicieux pour les conceptions nécessitant à la fois efficacité et durabilité. Le MOSFET est optimisé pour une exploitation à des tensions élevés et résiste aux commutation rapides et aux contraintes de courant élevé couramment rencontrées avec la conversion d'énergie, le contrôle de moteur et les circuits de commutation de charge.
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onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08XOptimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.14/04/2026 -
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETLow switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.07/04/2026 -
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1EMOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.06/04/2026 -
Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal PIdéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.31/03/2026 -
STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AGUn MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.31/03/2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 VOffrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.27/03/2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal NPerformances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.27/03/2026 -
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETDelivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.24/03/2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].17/03/2026 -
onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NLConçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.13/03/2026 -
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.10/03/2026 -
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.10/03/2026 -
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.10/03/2026 -
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.10/03/2026 -
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.06/03/2026 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal NDispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.05/03/2026 -
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETsFeatures low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.19/02/2026 -
IXYS MOSFET de puissance X4-ClassIls offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.02/02/2026 -
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08XCe dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).26/12/2025 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 VDéfinit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.23/12/2025 -
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NLConçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.19/12/2025 -
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.25/11/2025 -
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.25/11/2025 -
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETDesigned for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.24/11/2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NLIl présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.20/11/2025 -
