Nouveauté IGBTs

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
Les transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 sont dotés d’un boîtier DTO247 et remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers standard TO247 connectés en parallèle. Le boîtier DTO247 fait deux fois la taille qu’un boîtier standard TO247 et est compatible avec les architectures DTO247et TO247 au sein d’un même système pour une flexibilité et une personnalisation accrues. La conception TRENCHSTOP DTO247 permet une densité de puissance élevée tout en comblant le fossé entre les conceptions basées sur le TO247 et les architectures modulaires. Les larges conducteurs de 2 mm assurent une conduction optimale, tandis que la distance de fuite de 10 mm offre une sécurité et une fiabilité améliorées. Le boîtier comprend une distance d’isolement entre broches de 7 mm et une broche émettrice Kelvin intégrée pour une commutation plus rapide et plus efficace. Ces transistors de 750 V d’Infineon sont conçus pour simplifier et réduire le temps de développement d’architectures évolutives et rentables pour des applications à courant élevé, y compris les convertisseurs solaires, les systèmes de stockage d’énergie (ESS) et les alimentations sans interruption (ASI).