Nouveauté SiC MOSFET
Les MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2 d’Infineon Technologies sont conçus pour répondre aux exigences strictes des applications des véhicules électriques (VE) telles que les convertisseurs de traction, les chargeurs embarqués (OBC) et les convertisseurs CC/CC haute tension. Ces MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une efficacité, une densité de puissance et des performances thermiques exceptionnelles, permettant ainsi la mise au point de systèmes de mobilité électrique de nouvelle génération. Avec une tension nominale de 750 V et la technologie CoolSiC™ de deuxième génération, ces dispositifs offrent un comportement de commutation amélioré et des pertes réduites par rapport aux solutions traditionnelles en silicium. La gamme comprend une plage de valeurs RDS(on) de 9 à 78 mΩ, offrant aux concepteurs la flexibilité nécessaire pour optimiser les performances de conduction et de commutation.
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Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).19/12/2025
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onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiCPrésentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.04/12/2025 -
Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 VThese MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.20/11/2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 VLes dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.17/10/2025 -
Infineon Technologies MOSFET SiC G2 1 400 V CoolSiC™Offre des performances thermiques améliorées, une densité de puissance accrue et une fiabilité améliorée.09/10/2025 -
Microchip Technology MOSFET SIC 1 200 VLes MOSFET offrent une haute efficacité dans une solution plus légère et plus compacte avec des retards de commutation faibles.25/09/2025 -
IXYS MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2KxCes composants affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].19/09/2025 -
IXYS MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1KTension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ.27/08/2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWBMOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.21/08/2025 -
onsemi MOSFET de puissance EliteSiC 650V NXVF6532M3TG01Offre une efficacité supérieure, une commutation rapide et des performances thermiques robustes.08/08/2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT40xKWAOffre 1 200 V VDS, une faible résistance à l'état passant, une vitesse élevée de commutation et un temps de récupération rapide.14/07/2025 -
Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.23/06/2025 -
Infineon Technologies MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™MOSFETs qualifiés pour l’automobile et l’industrie avec une résistance à l’état passant drain-source maximale jusqu’à 78 mΩ.03/06/2025 -
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1Il dispose d'une résistance maximale RDS(ON) de 76 mΩ à 20 V et une tension de drain à source de 1 700 V.22/05/2025 -
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETsDelivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.06/05/2025 -
Wolfspeed MOSFET en carbure de silicium 1 700 VOffrent une commutation plus élevée, une efficacité du système et une densité de puissance pour la conversion d'énergie de nouvelle génération.17/04/2025 -
IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7Le MOSFET à commutateur unique est un composant de qualité industrielle avec les caractéristiques 1 200 V, 30 mΩ, 79 A et logé dans un boîtier TO263-7L.06/03/2025 -
IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.06/03/2025 -
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L050N170M1Permet des performances exceptionnelles avec une RDS(on) standard de 53 mΩ à VGS = 20 V.20/02/2025 -
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTBL032N065M3SConçu pour les applications à commutation rapide, offrant des performances fiables.20/02/2025 -
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFETOffers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications18/02/2025 -
IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.18/02/2025 -
IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.18/02/2025 -
SemiQ Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 VDeveloped to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.02/01/2025 -
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETsIdeal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.06/09/2024