Vishay / Siliconix MOSFET TrenchFET®
Les MOFSET TrenchFET® de Vishay / Siliconix sont dotés d'une technologie silicium à canaux P et N permettant à ces composants de fournir d'excellentes spécifications de résistance à l'état passant de 1,9 mΩ dans le PowerPAK® SO-8. Ces MOSFET ont une résistance à l'état passant pouvant descendre à la moitié du niveau des nouveaux meilleurs dispositifs sur le marché. Les MOSFET à canal N offrent une plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V, une dissipation d'énergie nominale de 375 W et une puissance ThunderFET en fonction du modèle. Les MOSFET à canal P disposent de jusqu'à 2 canaux, d'un montage CMS et traversant et d'une plage de tension de rupture drain-source de 12 V à 200 V.
Caractéristiques
- MOSFET à canal P
- Résistance en fonctionnement réduite jusqu'à 45 % pour les systèmes à p voies
- Présente des pertes de conduction plus faibles, permettant des économies d'énergie
- Intervalles plus longs entre les recharges pour les applications fonctionnant sur batteries
- Utilise la technologie Gen III ou Gen IV
- Utilisation plus écologique de l'énergie
- MOSFET à canal P Gen IV
- Offre une faible résistance à l'état passant
- Livré dans un boîtier compact amélioré thermiquement
- Plusieurs dimensions de boîtier, du PowerPA SO-8 au PowerPAK® SC-75 de 1,6 mm x 1,6 mm
- Tension de rupture de 12 V à 200 V
- MOSFET à canal N
- Tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V
- Courant de drain de 50 A à 131 A
- Résistance nominale jusqu'à 27 mΩ
- Alimentation ThunderFET (selon le modèle)
- Plage de dissipation d'énergie de 125 W à 375 W
Applications
- Canal P
- Commutateurs de charge
- Smartphones
- PDA
- Lecteurs MP3
- Appareils photo numériques
- Caméscopes
- Canal N
- Convertisseur CC-CC
- Outils électriques
- Commutateurs d'entraînement moteur
- Onduleurs CC/CA
- Gestion de batteries
Produits présentés
Vishay / Siliconix MOSFET 70 V à canal N (D-S) SiS178LDN
Proposé en boîtier unique PowerPAK® 1212-8 et met en œuvre la technologie TrenchFET Gen IV.
Vishay / Siliconix MOSFET 70 V à canal N (D-S) SiS176LDN
Utilise la technologie MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV dans un boîtier unique PowerPAK® 1212-8.
Vishay / Siliconix MOSFET de puissance TrenchFET Gen V avec VDS
Augmente le rendement de conversion de puissance avec un facteur de mérite (FOM) RDS x Qg très faible.
Vishay / Siliconix MOSFET 60 V à canal N (D-S) SiR186LDP
Utilise la technologie MOSFET ® de puissance TrenchFET Gen IV et dispose d'un très faible RDS Qg FOM.
Vishay / Siliconix MOSFET 100 V à canal P automatique SQJ211ELP
Dispose d'un courant drain-source de -100 VDS dans un boîtier PowerPAK® SO-8L avec des fils de papillon.
Vishay / Siliconix MOSFET 40 V à canal N SUM40014M
Fournit une tension drain-source de 40 VDS dans un boîtier D2PAK à configuration unique avec alimentation ThunderFET®.
Vishay / Siliconix SIR873DP 150V P-Channel TrenchFET® Power MOSFET
Low on-resistance minimizes power loss from conduction, and single-configuration PowerPAK® package.
Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P-Channel MOSFETs
Low on-resistance for a P-Channel device with a sub-0.8mm profile.
Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
Vishay / Siliconix MOSFET 80 V à canal P (D-S) Si3129DV
Proposé en boîtier unique TSOP-6 avec une plage de température de jonction en fonctionnement de -55°C à +150°C.
Vishay / Siliconix Si7252ADP Double MOSFET 100 V à canal N (D-S)
Fournit un PWM optimisé conçu pour les applications de puissance système CC-CC.
Vishay / Siliconix SiAxDJ P-Channel TrenchFET® Power MOSFETs
Thermally Enhanced PowerPAK®; 2.05mm x 2.05mm footprint area, and low On-Resistance.
Solutions associées
Vishay Industrial Power Solutions
Broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications.
Infographie
