EPC FET GaN

Résultats: 56
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Mode canal
Nom commercial
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
Fiche technique
2 480En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
Fiche technique
2 948En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
Fiche technique
1 998En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT LGA-14 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 1.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
Fiche technique
4 079En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 23 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
Fiche technique
1 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 500

SMD/SMT Die N-Channel 2-Channel 80 V 30 A 5.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.5 nC, 6.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Fiche technique
12 479En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 80 V 1.7 A 80 mOhms - 4 V, 5.75 V 2.5 V 670 pC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
Fiche technique
4 960En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 26 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.87 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Fiche technique
2 390En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Fiche technique
2 500En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 4 A 130 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Fiche technique
4 988En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 160 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 360 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Fiche technique
20 00008/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Fiche technique
30 00008/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 1.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 23 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
Fiche technique
15 00017/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT FCQFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 133 A 5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 21 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Fiche technique
15 00008/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 80 V 133 A 1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 28 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
Fiche technique
15 00017/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT QFN-5 N-Channel 1 Channel 100 V 101 A 1.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
Fiche technique
7 50020/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 100 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
Fiche technique
2 99017/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 1.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 25 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Fiche technique
2 50017/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 2 Channel 100 V 1.7 A 70 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 730 pC, 730 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Fiche technique
2 50017/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Fiche technique
7 50017/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 14 A 22 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Fiche technique
12 36017/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 20 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 2 500
Mult. : 500
Bobine: 500

SMD/SMT BGA-24 N-Channel 1 60 V 48 A 2.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 16 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 12 500
Mult. : 2 500
Bobine: 2 500

SMD/SMT Die N-Channel 1 100 V 9.4 A 10.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.3 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 5 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

SMD/SMT LGA-16 N-Channel 1 40 V 80 A 2.25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC FET GaN 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 5 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

SMD/SMT N - Channel 1 Channel 100 V 69 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET