STMicroelectronics SiC MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Fiche technique
57En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 200 C 210 W Enhancement


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
85En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Fiche technique
73En stock
1 20016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Fiche technique
592En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 1 Ohms - 10 V, + 25 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 200 C 120 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Fiche technique
510En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 239 mOhms - 20 V, + 20 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 200 C 175 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Fiche technique
1 597En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Fiche technique
593En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
Fiche technique
317En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 69 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 162 nC - 55 C + 200 C 420 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
90En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 105 mOhms - 18 V, + 18 V 5 V 63 nC - 55 C + 200 C 290 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
9En stock
2 00012/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
151En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement


STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
28En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HIP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 91 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 150 nC - 55 C + 200 C 547 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
60026/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
1 200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Fiche technique
40004/01/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600



STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
99622/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Fiche technique
1 11318/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
Fiche technique
84423/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 500 mOhms - 10 V, + 25 V 3.5 V 22 nC - 55 C + 200 C 150 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
100Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
100Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
Fiche technique
6916/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600
Bobine: 600

STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 1 800
Mult. : 1 800
Bobine: 1 800

STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement